日前,德州仪器 (TI) 宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的 GaN FET 与 MOSFET。该系列加上 2011 年推出的业界首款 100 V 半桥 GaN FET 驱动器 LM5113,可为高性能电信、网络以及数据中心应用中使用的大功率 GaN
FET 与 MOSFET
提供完整的隔离式 DC/DC 转换驱动器解决方案。如欲了解详情或订购样片与评估板,敬请访问:www.ti.com/gan-pr。02be94e【中国自动化网社区】27922e【http://sns.ca800.com】fe
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LM5114 可通过 5 V 电源电压的独立源极与汲极输出(sink and source output)驱动标准 MOSFET 与 GaN
FET。它具有使用较大或并行 FET 的大功率应用中所需的 7.6 A 高峰值关断电流功能。此外,提高的下拉强度还有助于该器件驱动 GaN
FET。独立源极与汲极输出可取消驱动器路径中的二极管,准确控制升降时间。76b1e1【中国自动化网社区】c06170【http://sns.ca800.com】2f2
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LM5114 低侧栅极驱动器的主要特性与优势:b2610【中国自动化网社区】99758b【http://sns.ca800.com】0b500
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可优化升降时间的独立源极与汲极输出支持更高的效率;b2610【中国自动化网社区】99758b【http://sns.ca800.com】0b500
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+4 V 至 +12.6 V 单电源支持各种应用;613【中国自动化网社区】73a7cb【http://sns.ca800.com】7c
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0.23 欧姆的开漏下拉汲极输出可避免无意接通;613【中国自动化网社区】73a7cb【http://sns.ca800.com】7c
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7.6 A/1.3 A 峰值汲极/源极驱动器电流可最大限度减少电压突变(DV/DT)的影响;613【中国自动化网社区】73a7cb【http://sns.ca800.com】7c
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匹配反相及非反相输入之间的延迟时间,可降低停滞时间损耗;613【中国自动化网社区】73a7cb【http://sns.ca800.com】7c
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12 ns 典型传播延迟可在提高效率的同时,支持高开关频率;84a9d【中国自动化网社区】ddd037【http://sns.ca800.com】184
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高达 14 V 的逻辑输入(不受 VCC 影响);84a9d【中国自动化网社区】ddd037【http://sns.ca800.com】184
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-40 摄氏度至 +125 摄氏度的宽泛工作温度。84a9d【中国自动化网社区】ddd037【http://sns.ca800.com】184
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供货情况与封装84a9d【中国自动化网社区】ddd037【http://sns.ca800.com】184
LM5114 现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商进行订购。该器件采用 6 引脚 SOT-23 封装或裸焊盘 6 引脚 LLP 封装。84a9d【中国自动化网社区】ddd037【http://sns.ca800.com】184
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了解有关 TI 电源管理产品系列的更多详情:84a9d【中国自动化网社区】ddd037【http://sns.ca800.com】184
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观看 LM5113 的实验室演示:http://www.ti.com/lm5113-prv;84a9d【中国自动化网社区】ddd037【http://sns.ca800.com】184
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